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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
72
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
39
读取速度,GB/s
4,241.0
17.5
写入速度,GB/s
1,938.7
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2600
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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