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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
72
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.6
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
38
读取速度,GB/s
4,241.0
7.6
写入速度,GB/s
1,938.7
7.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
1827
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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