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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
72
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
31
读取速度,GB/s
4,241.0
12.1
写入速度,GB/s
1,938.7
8.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2460
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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