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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
57
72
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
57
读取速度,GB/s
4,241.0
19.4
写入速度,GB/s
1,938.7
9.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2253
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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