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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
64
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
32
读取速度,GB/s
4,651.3
15.7
写入速度,GB/s
2,256.8
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2528
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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