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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
64
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
29
读取速度,GB/s
4,651.3
18.5
写入速度,GB/s
2,256.8
15.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3787
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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