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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
18.5
写入速度,GB/s
5.9
13.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3283
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
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