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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
64
左右 -129% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
28
读取速度,GB/s
4,651.3
16.5
写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3447
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B1G73BH0-YK0K0 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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