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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
64
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
29
读取速度,GB/s
4,651.3
15.5
写入速度,GB/s
2,256.8
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3091
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO M418039 8GB
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