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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO M418039 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
16.0
写入速度,GB/s
870.4
7.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2414
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
INTENSO M418039 8GB RAM的比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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