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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
64
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
33
读取速度,GB/s
4,651.3
15.0
写入速度,GB/s
2,256.8
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2478
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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