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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
64
左右 -220% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
20
读取速度,GB/s
4,651.3
19.0
写入速度,GB/s
2,256.8
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3120
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 64T256020EU2.5C2 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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