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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
64
左右 -191% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
22
读取速度,GB/s
4,651.3
20.3
写入速度,GB/s
2,256.8
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
4116
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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