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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
64
左右 -205% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
21
读取速度,GB/s
4,651.3
18.0
写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3034
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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