RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
64
Около -205% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3034
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link