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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
64
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
33
读取速度,GB/s
4,651.3
16.5
写入速度,GB/s
2,256.8
13.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3072
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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