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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
11.7
13.4
写入速度,GB/s
7.2
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2588
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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