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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
60
64
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6.4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
4.2
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
60
读取速度,GB/s
4,651.3
6.4
写入速度,GB/s
2,256.8
4.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
1400
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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