RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
64
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.2
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
6.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
1400
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link