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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
25
读取速度,GB/s
4,651.3
12.4
写入速度,GB/s
2,256.8
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
1511
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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