RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
64
Por volta de -156% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
1511
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link