RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
77
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3098
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link