RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3098
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link