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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
64
左右 -129% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
28
读取速度,GB/s
4,651.3
18.8
写入速度,GB/s
2,256.8
15.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3465
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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