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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
9.7
16.4
写入速度,GB/s
6.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3226
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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