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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
42
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
20
读取速度,GB/s
9.7
19.2
写入速度,GB/s
6.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3326
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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