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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
9.7
14.7
写入速度,GB/s
6.0
9.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2776
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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