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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
9.7
17.1
写入速度,GB/s
6.0
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3366
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
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Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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