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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
9.7
18.0
写入速度,GB/s
6.0
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3385
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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