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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
42
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
19
读取速度,GB/s
9.7
20.7
写入速度,GB/s
6.0
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3735
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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