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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
21
读取速度,GB/s
9.7
18.9
写入速度,GB/s
6.0
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3490
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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