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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
11.4
19.8
写入速度,GB/s
7.4
18.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
4128
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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AMD R7S44G2606U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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