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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
15.0
18.4
写入速度,GB/s
10.1
11.7
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3030
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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