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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.7
12.0
写入速度,GB/s
6.0
7.4
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2030
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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