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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1866C10 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMSX8GX3M2A1866C10 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMSX8GX3M2A1866C10 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX3M2A1866C10 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
14200
10600
左右 1.34 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1866C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
9.7
14.6
写入速度,GB/s
6.0
9.9
内存带宽,mbps
10600
14200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 9 10
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1396
2403
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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