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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
9.7
18.5
写入速度,GB/s
6.0
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3794
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DOVE1A0834E 1GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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