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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
9.2
18.1
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2580
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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