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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
18.1
写入速度,GB/s
6.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3779
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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