Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 28
    左右 4% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    12.9 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.7 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
    左右 1.25% 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    12.9 left arrow 12.7
  • 写入速度,GB/s
    7.7 left arrow 7.5
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1930 left arrow 1988
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