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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
比较
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
总分
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
12.9
13.7
写入速度,GB/s
7.7
8.5
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1930
1865
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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