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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Confronto
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
38
Velocità di lettura, GB/s
12.9
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1930
1865
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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