Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Intorno 4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.9 left arrow 12.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.7 left arrow 7.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 8500
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.9 left arrow 12.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.7 left arrow 7.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1930 left arrow 1988
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