Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 38

Wokół strony 29% niższe opóźnienia

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.7 12.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.5 7.7

Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns

27 38
Prędkość odczytu, GB/s

12.9 13.7
Prędkość zapisu, GB/s

7.7 8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 10600

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1930 1865

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB