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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
79
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
36
读取速度,GB/s
3,061.8
14.9
写入速度,GB/s
1,468.1
10.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2589
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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