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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

总分
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 39
    左右 -70% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2322 left arrow 2591

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较

Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP698651-154-KEB 8GB
Kingston HP698651-154-KEB 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
内存RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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