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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.7
17.3
写入速度,GB/s
6.0
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3628
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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