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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
9.7
19.9
写入速度,GB/s
6.0
16.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3832
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
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