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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.2
14.0
写入速度,GB/s
8.6
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2055
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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