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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
9.7
19.9
写入速度,GB/s
6.0
17.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3972
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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