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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
17.9
写入速度,GB/s
8.4
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3514
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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